INFINEON IPW65R190CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190CFDFKSA1, 17.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 17.5 A, 0.445 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.445 ohm, 10 V, 4 V
额定功率 151 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.445 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 1850pF @100VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Industrial, Power Management, Communications & Networking, Alternative Energ, 车用, 通信与网络, LED Lighting, 替代能源, 电源管理, 发光二极管照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC