Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6FKSA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6FKSA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
立创商城:
N沟道 600V 20.2A
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 / N-Channel 600 V 20.2A Tc 151W Tc Through Hole PG-TO247-3-1
额定功率 151 W
极性 N-Channel
耗散功率 151 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC