Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN
立创商城:
N沟道 600V 20.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
额定功率 151 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 151 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free