IPW60R190E6FKSA1

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IPW60R190E6FKSA1概述

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN


立创商城:
N沟道 600V 20.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R190E6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 170 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 151 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1400pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPW60R190E6FKSA1
型号: IPW60R190E6FKSA1
描述:Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

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