IGW30N60TFKSA1

INFINEON  IGW30N60TFKSA1  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

欧时:
Infineon IGW30N60TFKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 45 A, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
# INFINEON  IGW30N60TFKSA1  IGBT Single Transistor, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247