N沟道 75V 106A
N-Channel 75V 106A Tc 200W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 75V 106A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 5.9Milliohms; ID 106A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-2
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 106A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
额定电压DC 75.0 V
额定电流 106 A
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF3808S
阈值电压 4 V
输入电容 5310pF @25V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 106 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5310pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF3808SPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STB140NF75T4 意法半导体 | 功能相似 | IRF3808SPBF和STB140NF75T4的区别 |
FDB035AN06A0 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF3808SPBF和FDB035AN06A0的区别 |
FDB047N10 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF3808SPBF和FDB047N10的区别 |