IRF6620TR1 N沟道MOSFET 20V 150A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 150A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0027Ω/Ohm @2.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.55-2.45V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.8W Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile <0.7 mm Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容
额定电压DC 20.0 V
额定电流 27.0 A
通道数 1
漏源极电阻 2.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6620
阈值电压 2.45 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 80.0 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET-7
宽度 5.05 mm
封装 DirectFET-7
产品生命周期 End of Life
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17