IPW60R299CPFKSA1概述
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R299CPFKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R299CPFKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
IPW60R299CPFKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 11.0 A
额定功率 98 W
极性 N-CH
耗散功率 96 W
输入电容 1.10 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
长度 16.03 mm
宽度 5.16 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPW60R299CPFKSA1
型号： IPW60R299CPFKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R299CPFKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装