INFINEON IPB65R190CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R190CFDATMA1, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Newark:
# INFINEON IPB65R190CFDATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
额定功率 151 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.171 Ω
极性 N-CH
耗散功率 151 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 700 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 1850pF @100VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Alternative Energy, 车用, 发光二极管照明, Industrial, Communications & Networking, LED Lighting, 电源管理, 通信与网络, Power Management, Automotive, 替代能源
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
