IKB20N60TAATMA1

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IKB20N60TAATMA1概述

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

This IGBT transistor from Technologies is perfect if your circuit contains high currents passing through it.


得捷:
IGBT 600V 40A TO263-3


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
IGBTs


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IKB20N60TAATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 156 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 41 ns

额定功率Max 156 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 156000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IKB20N60TAATMA1
型号: IKB20N60TAATMA1
描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
替代型号IKB20N60TAATMA1
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Infineon 英飞凌

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IKB20N60TAATMA1和AIKB20N60CTATMA1的区别

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