IRFB18N50KPBF概述
VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V
The is a 500V N-channel Power MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching.
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- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Low RDS ON
IRFB18N50KPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 18.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 5 V
输入电容 2830pF @25V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 60 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFB18N50KPBF
型号： IRFB18N50KPBF
描述：VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V