晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.173 ohm, 10 V, 3.5 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
额定功率 75 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.173 Ω
极性 N-CH
耗散功率 75 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1150pF @400VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PG-VSON-4
封装 PG-VSON-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅