Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube
IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
得捷:
IGBT, 28A IC, 600V VBRCES, N
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
IGBT W/DIODE 600V 28A D2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 28.0 A
耗散功率 100 W
产品系列 IRG4BC30KD-S
上升时间 42.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 42 ns
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.703 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRG4BC30KD-SPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STGB14NC60KDT4 意法半导体 | 功能相似 | IRG4BC30KD-SPBF和STGB14NC60KDT4的区别 |
STGB19NC60HDT4 意法半导体 | 功能相似 | IRG4BC30KD-SPBF和STGB19NC60HDT4的区别 |