晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
额定功率 375 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 12100pF @40VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99