INFINEON IPB108N15N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.0091 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
立创商城:
N沟道 150V 83A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB108N15N3GATMA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB108N15N3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 83 A, 150 V, 0.0091 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 214 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0091 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 214 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 83A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 3230pF @75VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Audio, Class D audio amplifiers, 车用, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Automotive, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17