Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3GXKSA1, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3GXKSA1, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
立创商城:
N沟道 120V 100A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON IPP048N12N3GXKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 120 V, 0.0041 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 / N-Channel 120 V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 9030pF @60VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17