IPL65R165CFDAUMA1概述
N-CH 650V 16.6A
表面贴装型 N 通道 650 V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16.6A
富昌:
700V, 67A, 165MOHM, THINPAK 8X8
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 21.3A Automotive 4-Pin VSON EP T/R
IPL65R165CFDAUMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 195 W
通道数 1
漏源极电阻 149 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 195 W
阈值电压 3.5 V
输入电容 2340 pF
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 16.6A
上升时间 7.6 ns
输入电容Ciss 2340pF @100VVds
下降时间 5.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 195W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PG-VSON-4
外形尺寸
长度 8.1 mm
宽度 8 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-VSON-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPL65R165CFDAUMA1