N沟道,40V,162A,4mΩ@10V
Description
Seventh Generation HEXFETÆPower MOSFETs from utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
额定电压DC 40.0 V
额定电流 162 A
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRF1404S
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 162 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF1404SPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STB120N4LF6 意法半导体 | 功能相似 | IRF1404SPBF和STB120N4LF6的区别 |
STB200NF04T4 意法半导体 | 功能相似 | IRF1404SPBF和STB200NF04T4的区别 |