IRF6641TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 4.60 A
漏源极电阻 59.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
产品系列 IRF6641
阈值电压 4 V
输入电容 2.29 nF
栅电荷 48.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2290pF @25VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric MZ
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric MZ
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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型号： IRF6641TR1PBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 7Pin Direct-FET MZ T/R