晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V
* N-channel - Enhancement mode * AEC qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green product RoHS compliant * 100% Avalanche tested
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
欧时:
Infineon MOSFET IPB180N10S4-02
立创商城:
N沟道 100V 180A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 2.5 MΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 14600pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB180N10S402ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB025N10N3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPB180N10S402ATMA1和IPB025N10N3GATMA1的区别 |