IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 9.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 6.3Ω/Ohm @15A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.3-2.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 3.6W Description & Applications| HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile <0.7 mm Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 高CDV/ dt抗扰性 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面兼容 安装技术
额定电压DC 30.0 V
额定电流 14.0 A
漏源极电阻 6.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
产品系列 IRF6617
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 34.0 ns
输入电容Ciss 1300pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead