IPW65R150CFDFKSA1

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IPW65R150CFDFKSA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V

IPW65R150CFD, SP000907038


得捷:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 22.4A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW65R150CFDFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 195.3 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.135 Ω

极性 N-CH

耗散功率 195.3 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 22.4A

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 2340pF @100VVds

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPW65R150CFDFKSA1
型号: IPW65R150CFDFKSA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V

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