INFINEON IPW65R190C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190C7XKSA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
立创商城:
N沟道 650V 13A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 13A 3-Pin TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IPW65R190C7XKSA1 MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 / N-Channel 650 V 13A Tc 72W Tc Through Hole PG-TO247-3
额定功率 72 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.404 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 72 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1150pF @400VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 72W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 21.1 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Alternative Energy, Industrial, Industrial, Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源, Communic
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17