INFINEON IPB072N15N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3GATMA1, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
立创商城:
N沟道 150V 100A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5470pF @75VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Motor Drive & C, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Power Management, Motor Drive & Control, Communications &, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB072N15N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB072N15N3G 英飞凌 | 完全替代 | IPB072N15N3GATMA1和IPB072N15N3G的区别 |
IPI075N15N3G 英飞凌 | 完全替代 | IPB072N15N3GATMA1和IPI075N15N3G的区别 |
IPI075N15N3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPB072N15N3GATMA1和IPI075N15N3GXKSA1的区别 |