IRF6691TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 32.0 A
额定功率 2.8 W
漏源极电阻 1.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 mW
产品系列 IRF6691
阈值电压 1.6 V
输入电容 6.58 nF
栅电荷 71.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 95.0 ns
输入电容Ciss 6580pF @10VVds
额定功率Max 2.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric MT
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric MT
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
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型号： IRF6691TR1PBF
制造商：
International Rectifier
国际整流器
描述：A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with Schottky diode with 20V gate in a DirectFET MT package rated at 180 amperes.