N沟道 100V 100A
通孔 N 通道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
立创商城:
N沟道 100V 100A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A
额定功率 300 W
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 14800pF @50VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI030N10N3GHKSA1 英飞凌 | 完全替代 | IPI030N10N3GXKSA1和IPI030N10N3GHKSA1的区别 |