IXTH200N075T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTH200N075T概述

Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin3+Tab TO-247

N-Channel 75V 200A Tc 430W Tc Through Hole TO-247 IXTH

得捷:
MOSFET N-CH 75V 200A TO247

贸泽:
MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

IXTH200N075T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

耗散功率 430 W

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

下降时间 52 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 430W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH200N075T

型号： IXTH200N075T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin3+Tab TO-247

替代型号IXTH200N075T