INFINEON IPW60R165CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R165CPFKSA1, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
立创商城:
N沟道 600V 21A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IPW60R165CPFKSA1 Power MOSFET, N Channel, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 600 V
额定电流 21.0 A
额定功率 192 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 3 V
输入电容 2.00 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络, Power Management, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17