N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V
Power MOSFET, Pulsed Drain Current 720 A, Input Capacitance 7600 pF
* Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
* Fully characterized capacitance and avalanche SOA
* Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
* Lead-free
300 °C soldering temperature for 10 seconds and 10 lbs.-in. mounting torque 6-32 or M3 screw.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
DeviceMart:
HEXFET Power MOSFET, N채널 Vd = 75V, Rds = 3.6mΩ, Id = 170A TO-220AB패키지
额定电压DC 75.0 V
额定电流 180 A
漏源极电阻 4.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
产品系列 IRFB3207
输入电容 7600pF @50V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 7600pF @50VVds
额定功率Max 300 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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