IPA028N08N3GXKSA1

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IPA028N08N3GXKSA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 80V 89A


得捷:
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 89A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 89A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP / N-Channel 80 V 89A Tc 42W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA028N08N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 89A

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 10700pF @40VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPA028N08N3GXKSA1
型号: IPA028N08N3GXKSA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA028N08N3GXKSA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220FP封装

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