INFINEON IPB019N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V
表面贴装型 N 通道 80 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
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Infineon MOSFET IPB019N08N3GATMA1
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MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
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# INFINEON IPB019N08N3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.8 V
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 10700 pF
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 10700pF @40VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
