IRF6691TRPBF

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IRF6691TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 32.0 A

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

产品系列 IRF6691

输入电容 6.58 nF

栅电荷 71.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 26.0 A, 32.0 mA

上升时间 95.0 ns

输入电容Ciss 6580pF @10VVds

额定功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DirectFET-3

外形尺寸

封装 DirectFET-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF6691TRPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47NC

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