IPI50R140CPXKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPI50R140CPXKSA1概述

TO-262 N-CH 500V 23A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
HIGH POWER_LEGACY

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO262-3

IPI50R140CPXKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 192 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 2540pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 192000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262

外形尺寸

封装 TO-262

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI50R140CPXKSA1

型号： IPI50R140CPXKSA1

描述：TO-262 N-CH 500V 23A