N-沟道 75 V 120 A 2.3 mΩ 155 nC OptiMOS 3 功率 晶体管 - TO-220
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023NE7N3GXKSA1, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 / N-Channel 75 V 120A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 10800pF @37.5VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, , 通信与网络, 电源管理, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Audio, 电机驱动与控制, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Motor Drive & Control, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Communications & Networking, 音频, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC