N沟道 600V 30A
表面贴装型 N 通道 600 V 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
立创商城:
N沟道 600V 30A
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IPB60R125C6ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 219000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes coolmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin TO-263 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定功率 219 W
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 219 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2127pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 219000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC