INFINEON IGW25N120H3FKSA1 单晶体管, IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
极低 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
低 EMI
最高接点温度 175°C
欧时:
IGBT N-Ch 1200V 50A High-Speed TO247
得捷:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IGW25N120H3FKSA1 IGBT Single Transistor, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3
针脚数 3
耗散功率 326 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 326 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 326000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 替代能源, All hard switching applications, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99