IPW60R125C6FKSA1

IPW60R125C6FKSA1图片1
IPW60R125C6FKSA1图片2
IPW60R125C6FKSA1图片3
IPW60R125C6FKSA1图片4
IPW60R125C6FKSA1概述

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6FKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6FKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R125C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 219 W

极性 N-Channel

耗散功率 219 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2127pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 219000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPW60R125C6FKSA1
型号: IPW60R125C6FKSA1
描述:Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6FKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台