IXTA120P065T T/R

IXTA120P065T T/R图片1
IXTA120P065T T/R图片2
IXTA120P065T T/R中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 298000 mW

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 13200pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 298000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA120P065T T/R
型号: IXTA120P065T T/R
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3Pin2+Tab TO-263AA

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台