IXTH200N085T概述
Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3Pin3+Tab TO-247
N-Channel 85V 200A Tc Through Hole TO-247 IXTH
得捷:
MOSFET N-CH 85V 200A TO247
贸泽:
MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
IXTH200N085T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 85 V
漏源击穿电压 85 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
下降时间 64 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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