DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon
**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低,尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,仅 0.7mm
欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 46A; 125W; DirectFET
额定功率 125 W
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
产品系列 IRF7739
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
输入电容Ciss 11880pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric L8
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
高度 0.676 mm
封装 DirectFET™ Isometric L8
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17