MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 3.9mOhms 93NC
N-Channel 100V 190A Tc 370W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead
得捷:
IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
漏源极电阻 3.9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 370 W
产品系列 IRLS4030-7P
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 190 A
输入电容Ciss 11490pF @50VVds
额定功率Max 370 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17