IPP60R099C6XKSA1

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IPP60R099C6XKSA1概述

INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R099C6XKSA1, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V


IPP60R099C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 278 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 3 V

输入电容 2660 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 37.9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 照明, 车用, Alternative Energy, 通信与网络, Automotive, 替代能源, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP60R099C6XKSA1
型号: IPP60R099C6XKSA1
描述:INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

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