IXTQ102N15T

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IXTQ102N15T概述

TO-3P N-CH 150V 102A

N-Channel 150V 102A Tc 455W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 150V 102A TO3P


贸泽:
MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P


IXTQ102N15T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 18 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 455 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 102A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 5220pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 455W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ102N15T
型号: IXTQ102N15T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-3P N-CH 150V 102A

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