IRF7779L2TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 125 W
漏源极电阻 9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
产品系列 IRF7779L2
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
输入电容Ciss 6660pF @25VVds
额定功率Max 3.3 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric L8
外形尺寸
封装 DirectFET™ Isometric L8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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