IXFV12N80P

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IXFV12N80P概述

Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel Enhancement Mode

 

**Features**

 International standard packages

 Unclamped Inductive Switching UIS rated

 Low package inductance

\- easy to drive and to protect

 

**Advantages**

 Easy to mount

 Space savings

 High power density


得捷:
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin3+Tab PLUS 220


IXFV12N80P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV12N80P
型号: IXFV12N80P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin3+Tab PLUS 220
替代型号IXFV12N80P
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