IPB60R125CPATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB60R125CPATMA1概述

D2PAK N-CH 600V 25A

IPB60R125CP , SP000297368

得捷:
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3

艾睿:
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R - Arrow.com

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB60R125CPATMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 208 W

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-CH

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPB60R125CPATMA1

描述：D2PAK N-CH 600V 25A