IGW50N65F5AXKSA1

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IGW50N65F5AXKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT 650V TO247-3


贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube


IGW50N65F5AXKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 305 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IGW50N65F5AXKSA1
型号: IGW50N65F5AXKSA1
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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