INFINEON IPB107N20N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB107N20N3GATMA1, 88 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin2+Tab TO-263
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0096 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 88A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 5340pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Power Management, Motor Drive & Control, Lighting, , 工业, Industrial, 音频, Isolated DC-DC converters, 电源管理, 发光二极管照明
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17