IPW65R125C7XKSA1

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IPW65R125C7XKSA1概述

N沟道 650V 18A

通孔 N 通道 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO247-3


欧时:
Infineon MOSFET IPW65R125C7XKSA1


立创商城:
N沟道 650V 18A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 18A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A Tc 101W Tc Through Hole PG-TO247-3


IPW65R125C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 101 W

极性 N-CH

耗散功率 101 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1670pF @400VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 101W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPW65R125C7XKSA1
型号: IPW65R125C7XKSA1
描述:N沟道 650V 18A

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