IXFV18N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV18N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel 600V 18A Tc 360W Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab PLUS 220

IXFV18N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 360W Tc

输入电容 2.50 nF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFV18N60P

型号： IXFV18N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab PLUS 220

替代型号IXFV18N60P