IPP110N20N3GXKSA1

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IPP110N20N3GXKSA1概述

INFINEON  IPP110N20N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP110N20N3GXKSA1, 88 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP110N20N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0099 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

输入电容 5340 pF

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 88A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 5340pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Power Management, 工业, Industrial, 照明, 电机驱动与控制, 音频, Class D audio amplifiers, LED Lighting, Isolated DC-DC converters, Audio, 电源管理, Motor Drive & Control, 发光二极管照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPP110N20N3GXKSA1
型号: IPP110N20N3GXKSA1
描述:INFINEON  IPP110N20N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
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IPP110N20N3GXKSA1和IPP110N20NAAKSA1的区别

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